招生人數(shù):2

招生簡(jiǎn)介：

導(dǎo)師簡(jiǎn)介：

冀子武，男，教授，博士生導(dǎo)師。1996年初至2007年末近12的時(shí)間里長(zhǎng)期在日本留學(xué)、工作。期間先后任（國(guó)立）千葉大學(xué)博士研究生、日本國(guó)家產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所共同研究員、（國(guó)立）東京大學(xué)博士后研究員。2007年末作為山東大學(xué)杰出人才從東京大學(xué)受聘回國(guó)，先后任物理學(xué)院、微電子學(xué)院教授，博士生導(dǎo)師?，F(xiàn)為東京大學(xué)共同研究員，民政部批準(zhǔn)、團(tuán)中央指導(dǎo)的在海內(nèi)外有較高影響力和知名度的國(guó)家高級(jí)別學(xué)術(shù)組織《中國(guó)青年科技工作者協(xié)會(huì)》會(huì)員，日本物理學(xué)會(huì)會(huì)員，在日中國(guó)學(xué)者材料學(xué)會(huì)會(huì)員等?！秓pt.express》、《appl.phys.lett.》、《j.appl.Phys.》《Sci.Rep.》等多種國(guó)際重要學(xué)術(shù)期刊的評(píng)審專家。國(guó)家自然科學(xué)基金、山東省自然科學(xué)基金、科技部及教育部科研基金、高校博士論文等評(píng)審專家。與美國(guó)的佛羅里達(dá)國(guó)際大學(xué)，日本的東京大學(xué)、千葉大學(xué)、佐賀大學(xué)，以及國(guó)內(nèi)其他知名院校和研究所等保持著密切的研究合作。

研究方向：

1、低維（納米）半導(dǎo)體材料的光電特性，包括（GaN、InGaN、ZnO、ZnTe、ZnSe等）

2、半導(dǎo)體光電器件的制備、光電性能及轉(zhuǎn)換效率等(發(fā)光二極管LED、激光二極管LD、紫外探測(cè)器、HEMT等)。

本科專業(yè)及課程要求：微電子、物理相關(guān)專業(yè)，必須學(xué)習(xí)過(guò)《量子力學(xué)》、《半導(dǎo)體物理》、《固體物理》等本科課程。

招生數(shù)量：博士1名，碩士1-2名；

招生專業(yè)：學(xué)術(shù)學(xué)位電子科學(xué)與技術(shù)(微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè))；

聯(lián)系電話：0531-88364329轉(zhuǎn)8205

電子郵箱：jiziwu@sdu.edu.cn

網(wǎng)址：http://mele.sdu.edu.cn/info/1024/1080.htm

導(dǎo)師簡(jiǎn)介：徐明升，山東大學(xué)微電子學(xué)院副研究員，碩士生導(dǎo)師；主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)和光電器件制備工作，第一/通訊作者發(fā)表SCI/EI收錄論文十余篇，授權(quán)專利十余項(xiàng)，主持國(guó)家自然科學(xué)基金、博士后基金面上和特別資助等多項(xiàng)科研項(xiàng)目。與半導(dǎo)體器件生產(chǎn)制造等企業(yè)有密切聯(lián)系。

研究方向：

寬禁帶半導(dǎo)體材料（氮化鎵、氧化鎵、金剛石等）生長(zhǎng)和器件制備研究等。

本科專業(yè)及課程要求：微電子、物理、信息等相關(guān)專業(yè)，學(xué)習(xí)過(guò)《量子力學(xué)》、《半導(dǎo)體物理》、《固體物理》等課程優(yōu)先考慮。

招生數(shù)量：每年1-2名；

招生專業(yè)：學(xué)術(shù)學(xué)位電子科學(xué)與技術(shù)(微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè))；

專業(yè)學(xué)位電子信息-集成電路工程

電子郵箱：xums@sdu.edu.cn

網(wǎng)址：http://mele.sdu.edu.cn/info/1024/1062.htm

http://faculty.sdu.edu.cn/xumingsheng/zh_cn/index.htm

歡迎報(bào)考山東大學(xué)微電子、物理、信息等專業(yè)的考生提前聯(lián)系，請(qǐng)發(fā)簡(jiǎn)歷、成績(jī)單到郵箱（jiziwu@sdu.edu或xums@sdu.edu.cn），謝謝。

符合調(diào)劑要求的其他考生也可提前聯(lián)系，請(qǐng)發(fā)簡(jiǎn)歷、成績(jī)單到郵箱（jiziwu@sdu.edu或xums@sdu.edu.cn），謝謝。